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- Development -
전자·전기산업발전에
더 나은 가치 더 높은
신뢰로 기여하는
일등 기업
Via Hole 내층 동박의 접속신뢰성 향상, 신규수평화학동
Alkaline Ion Type Horizotal Electroless Copper Plating OPC H-TEC SERIES
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전해니켈 제품
신규프로세스의 특성 ● Via Hole Bottom부, 내층 회로와의 접속신뢰성 향상
→ Cu표면의 유기 부착물 최소화
● 프리딥-촉매 공정의 Pd 이물 불량 감소, 회로 공정 수율 향상
● Pd 이온 촉매제의 액수명 개선 , 기존 공정의 2배 이상 사용가능
→ 프리딥액 혼입에 따른 Pd침전물 개선.
● 프리딥/촉매 공정간의 반송 롤러 유지보수 빈도 감소 -
OPC H-TEC 프로세스
프리딥/촉매 약품 혼입 평가
프리딥액 500 ml + 촉매액 25 ml 혼입후 0.2μm 멤브레인 필터로 필터링 실시신규프로세스 기존 프로세스 -
소재별 Pd 흡착량 평가 신규 프로세스 기존 프로세스 Pd흡착량
(mg/dm2)수지표면 0.080 0.056 PI 소재 0.050 0.025 Cu 표면 0.0046 0.0047 ● 일반 수지와 PI상에 Pd흡착량이 기존공정보다 많음 -
Cu 표면의 유기성분 흡착량 평가 처리전 Bare Cu 프리딥 처리 후 처리공정 : 컨디셔너~프리딥
처리조건 : 각 약품사별 표준조건 -
Predip 처리 후 탄소원소측정(GD-OES) Cu 표면의 “C”함유량 분석결과 ( XPS ) -
Via Bottom부 TEM 분석
신규프로세스 Nano Void 불량사례 Nano Void 관찰되지 않음 -
FE-SEM 분석
신규프로세스 기존프로세스 -
PCT(Pressure Cooker Test) 평가
PCT(Pressure Cooker Test) 평가 시험조건 : 3 기압, 120℃, 습도 100%, 12 Hr
평가결과 : 4단자 시험전,후 저항변화율 없음. Via Crack 양호 -
Via Hole 석출성
Via Hole 석출성 Via Hole 바닥 Edge부의 Cu석출성 양호
유리섬유 표면의 Cu 석출성 양호